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AZD1080S18 全新意大利POSEICO二極管 單向二極管模塊 二極管,POSEICO二極管,單向二極管,AZD1080S18
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AZD1080S18 全新意大利POSEICO二極管 單向二極管模塊

全新 POSEICO二極管

產(chǎn)品價格:
950.00
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線:
18662236567
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牌:
POSEICO意大利
號:
AZD1080S18
色:
全新
貨:
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數(shù)量:
(庫存550件)
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主營類目:
電力電子
所 在  地:
江蘇 蘇州市 昆山市
企業(yè)類型:
代理商
企業(yè)規(guī)模:
50-100人
注冊資金:
500萬

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于轉(zhuǎn)換電流變化率 當負載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時,會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生,很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。 公司長期備有現(xiàn)貨,產(chǎn)品系列齊全,技術(shù)力量雄厚,售后服務到位,供應穩(wěn)定,在國內(nèi)外機電行業(yè)中建立了良好的信譽:產(chǎn)品廣泛應用于開關電源、工控設備、變頻器、馬達傳達、電焊機、電梯、空調(diào)、風力發(fā)電、不間斷電源、點動力機車等各方領域。 銷售西碼WESTCODE可控硅定做 測量方法 鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通) 。 控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。 若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。 可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術(shù)從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。 1、日本三社SanRex:可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊。 2、德國西門]康SEMIKRON: IGBT模塊;可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二極管。 3、德國英飛凌Infineon: IGBT模塊; PIM模塊;可控硅模塊。 4、德國艾賽斯IXYS:快速恢復二極管模塊;可控硅模塊。 5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模塊; IPM模塊; PIM模塊。 6、日本富士FUJI: IGBT模塊; IPM模塊;三相整流橋模塊。 7、美國威士VISHAY:螺栓二極管;螺栓可控硅。 8、日本東芝TOSHIBA: IGBT模塊;整流橋模塊; GTO門極關斷可控硅。 9、IGBT無感吸收電容:美國CDE;加拿大EACO:德國EPCOS。 10、英國西碼WESTCODE:平板型可控硅;平板型二極管;螺栓型可控硅、螺栓型二極管。 11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二極管。 12、英國達尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二極管、GTO ]極可關斷可控硅 13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二極管、GTO門極可關斷可控硅。 14、快速熔斷器:美國BUSSMANN。 銷售西碼WESTCODE可控硅定做 可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應用較多??煽毓栌腥齻€電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié)??煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 1、日本三社SanRex:可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊。 2、德國西門]康SEMIKRON: IGBT模塊;可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二極管。 3、德國英飛凌Infineon: IGBT模塊; PIM模塊;可控硅模塊。 4、德國艾賽斯IXYS:快速恢復二極管模塊;可控硅模塊。 5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模塊; IPM模塊; PIM模塊。 6、日本富士FUJI: IGBT模塊; IPM模塊;三相整流橋模塊。 7、美國威士VISHAY:螺栓二極管;螺栓可控硅。 8、日本東芝TOSHIBA: IGBT模塊;整流橋模塊; GTO門極關斷可控硅。 9、IGBT無感吸收電容:美國CDE;加拿大EACO:德國EPCOS。 10、英國西碼WESTCODE:平板型可控硅;平板型二極管;螺栓型可控硅、螺栓型二極管。 11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二極管。 12、英國達尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二極管、GTO ]極可關斷可控硅 13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二極管、GTO門極可關斷可控硅。 14、快速熔斷器:美國BUSSMANN。 銷售西碼WESTCODE可控硅定做 電壓測方法 可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。 首先,可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當BG1的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,經(jīng)放大,BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。 可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1β2Ib1)這一電流遠大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時,可控硅方可關斷。當然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時,即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動發(fā)信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。 可控硅這種通過觸發(fā)信號(小的觸發(fā)電流)來控制導通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。 普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道,晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)(a),相當于一個二極管,G為正極、K為負極,所以,按照測試二極管的方法,找出三個極中的兩個極,測它的正、反向電阻,電阻小時,萬用表黑表筆接的是控制極G,可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S,按一下按鈕開關SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。 公司長期備有現(xiàn)貨,產(chǎn)品系列齊全,技術(shù)力量雄厚,售后服務到位,供應穩(wěn)定,在國內(nèi)外機電行業(yè)中建立了良好的信譽:產(chǎn)品廣泛應用于開關電源、工控設備、變頻器、馬達傳達、電焊機、電梯、空調(diào)、風力發(fā)電、不間斷電源、點動力機車等各方領域。 1、日本三社SanRex:可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊。 2、德國西門]康SEMIKRON: IGBT模塊;可控硅模塊;二極管模塊;三相整流橋模塊;平板型可控硅;螺栓型可控硅;螺栓型二極管。 3、德國英飛凌Infineon: IGBT模塊; PIM模塊;可控硅模塊。 4、德國艾賽斯IXYS:快速恢復二極管模塊;可控硅模塊。 5、日本三菱MITSUBISHI: IGBT模塊; IPM模塊; PIM模塊。 6、日本富士FUJI: IGBT模塊; IPM模塊;三相整流橋模塊。 7、美國威士VISHAY:螺栓二極管;螺栓可控硅。 8、日本東芝TOSHIBA: IGBT模塊;整流橋模塊; GTO門極關斷可控硅。 9、IGBT無感吸收電容:美國CDE;加拿大EACO:德國EPCOS。 10、英國西碼WESTCODE:平板型可控硅;平板型二極管;螺栓型可控硅、螺栓型二極管。 11、意大利POSEICO:平板型可控硅;平板型二極管。 12、英國達尼克斯DYNEX:平板型可控硅;平板型二極管、GTO ]極可關斷可控硅 13、瑞士ABB:平板型可控硅;平板型二極管、GTO門極可關斷可控硅。 14、快速熔斷器:美國BUSSMANN。

單向可控硅/二極管
AZD1080S28
AZD1080S18
AZD1280S10
AZD1600S10
AZD610HVIS58
AZD780HVIS45


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