易賣工控網(wǎng)1月31日訊,淺談同步整流管的損耗計(jì)算總結(jié)。
同步整流管的損耗計(jì)算一般也是包括以下幾方面:
■導(dǎo)通損耗
■開(kāi)關(guān)損耗
■驅(qū)動(dòng)損耗
■反向恢復(fù)損耗
■死區(qū)時(shí)間二極管損耗
同步整流的損耗—Rds_onvsQg
導(dǎo)通損耗一般由功率拓?fù)浜瓦x用MOS的Rdson決定,值得指出的是,導(dǎo)通損耗,開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系,由于MOS的Qg和Rdson成反比,而Qg大小一定程度上又與開(kāi)關(guān)損耗成反比。所以,需要選擇合適而不是最小Rdson的MOS。
另外,值得指出的是在一些自驅(qū)動(dòng)線路中,驅(qū)動(dòng)電平Ug在高壓較高會(huì)帶來(lái)額外的損耗也需要考慮其中。
同步整流的關(guān)斷損耗
關(guān)于開(kāi)關(guān)損耗,值得指出的是很多同步整流開(kāi)通是零電壓開(kāi)通的,而關(guān)斷損耗占據(jù)了主導(dǎo)。下圖是關(guān)于關(guān)斷損耗的一個(gè)圖,分別包含了Qoss損耗(容性損耗),開(kāi)關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗。
如何減少同步整流的反向恢復(fù)損耗
反向恢復(fù)損耗,在高壓MOS上,占據(jù)非常大的比例,消除反向恢復(fù)損耗的常見(jiàn)方法如下:
1)盡量減小死區(qū)時(shí)間,如下圖所示,二極管的反向時(shí)間決定了Qrr,減小體二極管工作的時(shí)間,這不光減小了反向恢復(fù)損耗,也同時(shí)減小了二極管的死區(qū)導(dǎo)通損耗
2)采用內(nèi)部并聯(lián)肖特基二極管的MOS.
同步整流的關(guān)機(jī)
同步整流驅(qū)動(dòng)關(guān)機(jī),經(jīng)常會(huì)遇到的問(wèn)題是關(guān)機(jī)波形不單調(diào),有負(fù)電流折向原邊,大多是以下原因:
1)自驅(qū)動(dòng)同步整流關(guān)機(jī)時(shí)候在前一階段為同步整流模式,電壓掉到一定程度,變?yōu)槎O管模式,從而帶來(lái)不同的輸出電壓下降斜率。
2)外驅(qū)動(dòng)同步整流原邊關(guān)機(jī)后,副邊未正確的及時(shí)關(guān)斷。
解決思路:
1)采用一定的控制方法控制副邊同步整流管在原邊關(guān)斷后快速關(guān)斷,變?yōu)槎O管模式關(guān)機(jī)。
2)采用一定的方法控制副邊同步整流軟關(guān)斷。
同步整流—更好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
值得指出的一點(diǎn)是,同步整流線路不僅僅能帶來(lái)效率的提升,在提高電路的動(dòng)態(tài)響應(yīng)方面,如果采用CCM模式的同步整流,會(huì)帶來(lái)動(dòng)態(tài)響應(yīng)的提升。二極管在低載情況下,環(huán)路特性會(huì)非常難以補(bǔ)償從而帶來(lái)較差的動(dòng)態(tài)響應(yīng),而CCM的同步整流,在空滿載情況下是接近的。以上就是關(guān)于淺談同步整流管的損耗計(jì)算總結(jié)的相關(guān)內(nèi)容介紹,更多
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