易賣工控網(wǎng)1月31日訊，淺談同步整流管的損耗計算總結(jié)。

　　同步整流管的損耗計算一般也是包括以下幾方面：

　　■導(dǎo)通損耗

　　■開關(guān)損耗

　　■驅(qū)動損耗

　　■反向恢復(fù)損耗

　　■死區(qū)時間二極管損耗

　　同步整流的損耗—Rds_onvsQg

　　導(dǎo)通損耗一般由功率拓?fù)浜瓦x用MOS的Rdson決定，值得指出的是，導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系，由于MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又與開關(guān)損耗成反比。所以，需要選擇合適而不是最小Rdson的MOS。

　　另外，值得指出的是在一些自驅(qū)動線路中，驅(qū)動電平Ug在高壓較高會帶來額外的損耗也需要考慮其中。

　　同步整流的關(guān)斷損耗

　　關(guān)于開關(guān)損耗，值得指出的是很多同步整流開通是零電壓開通的，而關(guān)斷損耗占據(jù)了主導(dǎo)。下圖是關(guān)于關(guān)斷損耗的一個圖，分別包含了Qoss損耗（容性損耗），開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗。 　　如何減少同步整流的反向恢復(fù)損耗

　　反向恢復(fù)損耗，在高壓MOS上，占據(jù)非常大的比例，消除反向恢復(fù)損耗的常見方法如下:

　　1）盡量減小死區(qū)時間，如下圖所示，二極管的反向時間決定了Qrr,減小體二極管工作的時間，這不光減小了反向恢復(fù)損耗，也同時減小了二極管的死區(qū)導(dǎo)通損耗

　　2）采用內(nèi)部并聯(lián)肖特基二極管的MOS.

　　同步整流的關(guān)機

　　同步整流驅(qū)動關(guān)機，經(jīng)常會遇到的問題是關(guān)機波形不單調(diào)，有負(fù)電流折向原邊，大多是以下原因：

　　1）自驅(qū)動同步整流關(guān)機時候在前一階段為同步整流模式，電壓掉到一定程度，變?yōu)槎O管模式，從而帶來不同的輸出電壓下降斜率。

　　2）外驅(qū)動同步整流原邊關(guān)機后，副邊未正確的及時關(guān)斷。

　　解決思路：

　　1）采用一定的控制方法控制副邊同步整流管在原邊關(guān)斷后快速關(guān)斷，變?yōu)槎O管模式關(guān)機。

　　2）采用一定的方法控制副邊同步整流軟關(guān)斷。

　　同步整流—更好的動態(tài)響應(yīng)

　　值得指出的一點是，同步整流線路不僅僅能帶來效率的提升，在提高電路的動態(tài)響應(yīng)方面，如果采用CCM模式的同步整流，會帶來動態(tài)響應(yīng)的提升。二極管在低載情況下，環(huán)路特性會非常難以補償從而帶來較差的動態(tài)響應(yīng)，而CCM的同步整流，在空滿載情況下是接近的。以上就是關(guān)于淺談同步整流管的損耗計算總結(jié)的相關(guān)內(nèi)容介紹，更多電子產(chǎn)品相關(guān)信息請訪問：工控網(wǎng)（http://news.tpt0.cn）